Купить Процессоры LGA2011 в Могилёве с доставкой и официальной гарантией. Низкие цены на Процессоры LGA2011 в интернет магазине в Могилёве. Возможность купить Процессоры LGA2011 в рассрочку или кредит, а также по безналичному расчёту для организаций. Отзывы от покупателей. Скидки и акции для постоянных клиентов.
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
Количество ядер 8, Тактовая частота 2.1 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 85 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
Количество ядер 6, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 15 МБ, Кэш L2 1.5 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 12, Тактовая частота 2.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 105 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 30 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 120 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
Количество ядер 8, Тактовая частота 1.7 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 85 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 1 866 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
Количество ядер 8, Тактовая частота 2 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 20 МБ, Кэш L2 2 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 1.8 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 1 866 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.