Сортировка
Сначала популярные
Сначала дешёвые
Сначала дорогие
Сначала рейтинговые
Сначала новинки
Фильтр (1)
LGA2011
Процессор Intel Xeon E5-2609V2
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
1 отзыв
Процессор Intel Xeon E5-2650 v4
Количество ядер 12, Тактовая частота 2.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 105 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 30 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Процессор Intel Xeon E5-2609
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
7 отзывов
Процессор Intel Xeon E5-2640 V4
Количество ядер 10, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, LGA2011-3 Square ILM, LGA2011-3 Narrow ILM, Расчетная тепловая мощность (TDP) 90 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 25 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
5 отзывов
Процессор Intel Xeon E5-2609 V4
Количество ядер 8, Тактовая частота 1.7 ГГц, Сокет LGA2011-3, Расчетная тепловая мощность (TDP) 85 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 1 866 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
5 отзывов
Процессор Intel Xeon E5-2650
Количество ядер 8, Тактовая частота 2 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 20 МБ, Кэш L2 2 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Арт. 12528
Под заказ
586,00р
В корзину
Процессор Intel Xeon E5-2603
Количество ядер 4, Тактовая частота 1.8 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Арт. 12530
Под заказ
179,00р
В корзину