Купить Процессоры с поддержкой DDR3 в Могилёве с доставкой и официальной гарантией. Низкие цены на Процессоры с поддержкой DDR3 в интернет магазине в Могилёве. Возможность купить Процессоры с поддержкой DDR3 в рассрочку или кредит, а также по безналичному расчёту для организаций. Отзывы от покупателей. Скидки и акции для постоянных клиентов.
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.8 ГГц, Сокет AM3+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 4 МБ, Кэш L2 4 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 2, Тактовая частота 2.8 ГГц, Сокет LGA1150, Расчетная тепловая мощность (TDP) 53 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 1050 МГц, Кэш L3 2 МБ, Кэш L2 512 КБ, Кодовое название кристалла Haswell, Дата выхода на рынок 2014 г.
Количество ядер 2, Тактовая частота 2.7 ГГц, Сокет LGA1150, Расчетная тепловая мощность (TDP) 53 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Встроенная графика Intel HD Graphics 1.05 ГГц, Кэш L3 2 МБ, Кэш L2 512 КБ, Кодовое название кристалла Haswell, Дата выхода на рынок 2014 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
Количество ядер 6, Тактовая частота 2.5 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 15 МБ, Кэш L2 1.5 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 2.4 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 8, Тактовая частота 2 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 95 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 20 МБ, Кэш L2 2 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 1.8 ГГц, Сокет LGA2011, Расчетная тепловая мощность (TDP) 80 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L3 10 МБ, Кэш L2 1 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
Количество ядер 2, Сокет LGA1156, Расчетная тепловая мощность (TDP) 73 Вт, Поддержка памяти DDR3, Встроенная графика, Кэш L3 4 МБ, Кэш L2 512 Кб, Дата выхода на рынок 2010 г.
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет FM2+, Расчетная тепловая мощность (TDP) 45 Вт, Поддержка памяти DDR3, Толщина транзистора 28 нм, Встроенная графика AMD Radeon R7, Кэш L2 2 МБ, Макс. частота памяти 2 133 МГц, Кодовое название кристалла Carrizo, Дата выхода на рынок 2018 г.