Товаров в корзине:0

Процессоры 130 Вт и более в Могилёве

Фильтр товаров
Купить Процессоры 130 Вт и более в Могилёве с достакой и официальной гарантией. Низкие цены на Процессоры 130 Вт и более в интернет магазине в Могилёве. Возможность купить Процессоры 130 Вт и более в рассрочку или кредит, а также по безналичному расчёту для организаций. Скидки и акции для постоянных клиентов.
Сортировка товаров: Сначала популярные Показать фильтр
Сначала популярные
Сначала дешёвые
Сначала дорогие
Количество ядер 8, Тактовая частота 4.7 ГГц, Сокет AM3+, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 220 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 8 МБ, Кэш L3 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 23037 414,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 4.4 ГГц, Сокет AM3+, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 220 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 8 МБ, Кэш L3 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12542 358,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.3 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 15 МБ, Кодовое название кристалла Haswell-E, Дата выхода на рынок 2014 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 39516 828,00р Купить
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.7 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 1 МБ, Кэш L3 10 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-E, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12627 432,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 4.7 ГГц, Сокет AM3+, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 220 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 8 МБ, Кэш L3 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12545 611,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 3 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 2 МБ, Кэш L3 20 МБ, Кодовое название кристалла Haswell-E, Дата выхода на рынок 2014 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 39519 2 175,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 1.5 МБ, Кэш L3 15 МБ, Кодовое название кристалла Haswell-E, Дата выхода на рынок 2014 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 39514 1 102,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.3 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 1.5 МБ, Кэш L3 15 МБ, Кодовое название кристалла Haswell-E, Дата выхода на рынок 2014 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 50491 836,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 1.5 МБ, Кэш L3 15 МБ, Кодовое название кристалла Haswell-E, Дата выхода на рынок 2014 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 39517 1 511,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 4.4 ГГц, Сокет AM3+, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 220 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 8 МБ, Кэш L3 8 МБ, Кодовое название кристалла Vishera, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 32749 550,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 2.7 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 2 МБ, Кэш L3 20 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12466 1 443,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 1.5 МБ, Кэш L3 12 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 44726 1 464,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 2.9 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 1.5 МБ, Кэш L3 15 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2012 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12595 1 803,00р Купить
Количество ядер 10, Тактовая частота 3 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L2 2.5 МБ, Кэш L3 25 МБ, Кодовое название кристалла Ivy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12687 4 347,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 73438 803,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 73440 1 999,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 84590 961,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 73441 2 470,00р Купить
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.5 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 10 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 84713 768,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 73442 1 002,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.4 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell E, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 73439 967,00р Купить
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Боксовая версия, Поддержка памяти DDR4, Энергопотребление (TDP) 145 Вт, Толщина транзистора 22 нм, Кэш L3 35 МБ, Кодовое название кристалла Haswell
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 67256 5 832,00р Купить
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.7 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 10 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 88580 1 038,00р Купить
Количество ядер 14, Тактовая частота 2.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 35 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 88581 4 984,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 135 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 25 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 88149 4 994,00р Купить
Количество ядер 4, Тактовая частота 3.3 ГГц, Сокет LGA2011, Поддержка памяти DDR3, Энергопотребление (TDP) 130 Вт, Толщина транзистора 32 нм, Кэш L2 1 МБ, Кэш L3 10 МБ, Кодовое название кристалла Sandy Bridge-EP, Дата выхода на рынок 2013 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 12686 1 973,00р Купить
Количество ядер 8, Тактовая частота 3.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 20 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 93382 2 821,00р Купить
Количество ядер 6, Тактовая частота 3.6 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 140 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 15 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 99309 1 549,00р Купить
Количество ядер 22, Тактовая частота 2.2 ГГц, Сокет LGA2011-3, Энергопотребление (TDP) 145 Вт, Поддержка памяти DDR4, Толщина транзистора 14 нм, Кэш L3 55 МБ, Макс. частота памяти 2 400 МГц, Кодовое название кристалла Broadwell, Дата выхода на рынок 2016 г.
В сравнение Подробнее... Под заказ Артикул: 101307 9 755,00р Купить
Фильтр товаров
X
Энергопотребление:
×130 Вт и более
Цена
  - 
Производитель i
Покажем товары выбранных производителей
Модельный ряд
Количество ядер
Сокет
Поддержка памяти
Особенности
Тактовая частота
Энергопотребление
Интернет магазин в Могилёве I-ON.BY© 2012-2017
Работает благодаря создателю Alex-Vi